Naukowcy z Uniwersytetu Narodowego Yang Ming Chiao Tung (NYCU) opracowali nowy sposób inżynierii interfejsów w tranzystorach opartych na ultracienkich półprzewodnikach, co pozwala na tworzenie mniejszych i bardziej wydajnych układów scalonych. Zamiast koncentrować się na samym materiale półprzewodnikowym, zespół skupił się na interfejsie między półprzewodnikiem a warstwą izolacyjną, tworząc bufor o grubości zaledwie 0,42 nanometra. Ta innowacja umożliwia zastosowanie ekstremalnie cienkich warstw izolacyjnych przy jednoczesnym zachowaniu silnej kontroli elektrycznej i wysokiej mobilności ładunków, otwierając drogę do rozwoju technologii poza dominującym obecnie krzemem.
Źródło: Science Daily
Kategoria: Technologia
Ważność: ⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐ (9/10)